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IXTL2N470
- Artikelnummer:
- IXTL2N470
- Hersteller:
- IXYS Corporation
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH
- Bestandsmenge:
- 47665 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- IXTL2N470.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 6V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 20 Ohm @ 1A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 220W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse: | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 26 Weeks |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 6860pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 4700V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 4700V 2A (Tc) 220W (Tc) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™ |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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