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IXTA08N100D2HV
IXTA08N100D2HV
Artikelnummer:
IXTA08N100D2HV
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH
Bestandsmenge:
56538 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
IXTA08N100D2HV.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 25µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-263HV
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:21 Ohm @ 400mA, 0V
Verlustleistung (max):60W (Tc)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit:24 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:325pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:14.6nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:Depletion Mode
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):0V
Drain-Source-Spannung (Vdss):1000V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 1000V 800mA (Tj) 60W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:800mA (Tj)
Email:[email protected]

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Image Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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