IXGM30N60
Artikelnummer:
IXGM30N60
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
POWER MOSFET TO-3
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
50006 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
IXGM30N60.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 30A
Td (ein / aus) bei 25 ° C:100ns/500ns
Schaltenergie:-
Supplier Device-Gehäuse:TO-204AE
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):200ns
Leistung - max:200W
Verpackung / Gehäuse:TO-204AE
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:-
Gate-Ladung:180nC
detaillierte Beschreibung:IGBT 600V 50A 200W Through Hole TO-204AE
Strom - Collector Pulsed (Icm):100A
Strom - Kollektor (Ic) (max):50A
Email:[email protected]

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