IXFN100N10S1 ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für IXFN100N10S1, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IXFN100N10S1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie IXFN100N10S1 mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
IXFN100N10S1
- Artikelnummer:
- IXFN100N10S1
- Hersteller:
- IXYS Corporation
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 20065 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- IXFN100N10S1.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 4mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SOT-227B |
| Serie: | HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 15 mOhm @ 500mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 360W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 4500pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 100V 100A (Tc) 360W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für IXFN100N10S1
läst Nachrichten
- Der Finanzbericht von NXP und Ansonmei wird angekündigt, und der Preis für Kupferpreise wird an die IC -Industrie übertragen
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last
- Vishay startet eine minilierte Verpackung hoher Helligkeit kleiner blau und rein grün
- Ansonmei startete einen induktiven Positionssensor für den Industrie- und Transportmarkt
- Ruisa beginnt die alte Fabrik, um das Stromgerät zu erhöhen. Das Erdbeben beeinflusst die Dram -Output mild
- Mikrochip ermöglicht die Produktionskapazität von TSMC und erhöht die Preiserhöhungen
- Ruisa hat die neue Ra0 -Serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU gestartet
- MELEXIS startet einen integrierten Induktorschalter -Chip