IXDI602SI
Artikelnummer:
IXDI602SI
Hersteller:
IXYS Integrated Circuits Division
Beschreibung:
2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
58967 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
IXDI602SI.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannungsversorgung:4.5 V ~ 35 V
Supplier Device-Gehäuse:8-SOIC-EP
Serie:-
Aufstieg / Fallzeit (Typ):7.5ns, 6.5ns
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Anzahl der Treiber:2
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:7 Weeks
Logikspannung - VIL, VIH:0.8V, 3V
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Inverting
Gate-Typ:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Angetriebene Konfiguration:Low-Side
detaillierte Beschreibung:Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC-EP
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink):2A, 2A
Ladestrom:Independent
Email:[email protected]

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