IS43TR16512AL-125KBLI ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für IS43TR16512AL-125KBLI, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IS43TR16512AL-125KBLI per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie IS43TR16512AL-125KBLI mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
IS43TR16512AL-125KBLI
- Artikelnummer:
- IS43TR16512AL-125KBLI
- Hersteller:
- ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Beschreibung:
- IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 28499 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- IS43TR16512AL-125KBLI.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 15ns |
| Spannungsversorgung: | 1.283 V ~ 1.45 V |
| Technologie: | SDRAM - DDR3L |
| Supplier Device-Gehäuse: | 96-LFBGA (10x14) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | 96-LFBGA |
| Andere Namen: | 706-1462 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 8Gb (512M x 16) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | DRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SDRAM - DDR3L Memory IC 8Gb (512M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-LFBGA (10x14) |
| Uhrfrequenz: | 800MHz |
| Zugriffszeit: | 20ns |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für IS43TR16512AL-125KBLI
läst Nachrichten
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last
- Vishay startet eine minilierte Verpackung hoher Helligkeit kleiner blau und rein grün
- Ansonmei startete einen induktiven Positionssensor für den Industrie- und Transportmarkt
- Ruisa beginnt die alte Fabrik, um das Stromgerät zu erhöhen. Das Erdbeben beeinflusst die Dram -Output mild
- Mikrochip ermöglicht die Produktionskapazität von TSMC und erhöht die Preiserhöhungen
- Ruisa hat die neue Ra0 -Serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU gestartet
- MELEXIS startet einen integrierten Induktorschalter -Chip
- X-FAB führt die Back-Illumination-Technologie für Bildsensor ein, um die CMOS-Sensorleistung zu verbessern
- Die große Chip -Fabrik wurde vom Erdbeben betroffen: TSMC hat dringend aufgehört zu arbeiten und die GPU -Versorgung kurzerhalt zu verschärfen?
- NAND Flash Memor