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IS43DR86400E-3DBLI
- Artikelnummer:
- IS43DR86400E-3DBLI
- Hersteller:
- ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Beschreibung:
- IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 50829 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- IS43DR86400E-3DBLI.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 15ns |
| Spannungsversorgung: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Technologie: | SDRAM - DDR2 |
| Supplier Device-Gehäuse: | 60-TWBGA (8x10.5) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | 60-TFBGA |
| Andere Namen: | 706-1561 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 512Mb (64M x 8) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | DRAM |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 6 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 333MHz 450ns 60-TWBGA (8x10.5) |
| Uhrfrequenz: | 333MHz |
| Zugriffszeit: | 450ns |
| Email: | [email protected] |
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