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IRF6619
- Artikelnummer:
- IRF6619
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- Lead Free Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- Bestandsmenge:
- 34515 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- IRF6619.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.45V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | DIRECTFET™ MX |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | DirectFET™ Isometric MX |
| Andere Namen: | IRF6619TR SP001526848 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 5040pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 57nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 20V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 30A (Ta), 150A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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