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IRF5810
- Artikelnummer:
- IRF5810
- Beschreibung:
- MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
- Lead Free Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- Bestandsmenge:
- 22849 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- IRF5810.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 6-TSOP |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Leistung - max: | 960mW |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 650pF @ 16V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.6nC @ 4.5V |
| Typ FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 2.9A |
| Email: | [email protected] |
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