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IPL60R299CPAUMA1
- Artikelnummer:
- IPL60R299CPAUMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 55086 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- IPL60R299CPAUMA1.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 440µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-VSON-4 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 299 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 96W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 4-PowerTSFN |
| Andere Namen: | IPL60R299CP IPL60R299CP-ND IPL60R299CPAUMA1TR IPL60R299CPTR-ND SP000841896 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 2A (4 Weeks) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 650V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 650V 11.1A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 11.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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