IPI020N06NAKSA1
IPI020N06NAKSA1
Artikelnummer:
IPI020N06NAKSA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
52695 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
IPI020N06NAKSA1.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.8V @ 143µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-TO262-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max):3W (Ta), 214W (Tc)
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen:IPI020N06N
IPI020N06N-ND
SP000962132
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:7800pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:106nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 60V 29A (Ta), 120A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:29A (Ta), 120A (Tc)
Email:[email protected]

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