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IPG20N10S4L22ATMA1
- Artikelnummer:
- IPG20N10S4L22ATMA1
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 8TDSON
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 55810 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- IPG20N10S4L22ATMA1.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 25µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TDSON-8-4 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 22 mOhm @ 17A, 10V |
| Leistung - max: | 60W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerVDFN |
| Andere Namen: | IPG20N10S4L22ATMA1-ND IPG20N10S4L22ATMA1TR SP000866570 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1755pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 60W Surface Mount PG-TDSON-8-4 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
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