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IDT70P3517S233RM
- Artikelnummer:
- IDT70P3517S233RM
- Hersteller:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Beschreibung:
- IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA
- Lead Free Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- Bestandsmenge:
- 33306 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- IDT70P3517S233RM.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
| Spannungsversorgung: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Technologie: | SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II |
| Supplier Device-Gehäuse: | 576-FCBGA (25x25) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | 576-BBGA, FCBGA |
| Andere Namen: | 70P3517S233RM |
| Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 4 (72 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 9Mb (256K x 36) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | SRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 233MHz 7.2ns 576-FCBGA (25x25) |
| Uhrfrequenz: | 233MHz |
| Basisteilenummer: | IDT70P3517 |
| Zugriffszeit: | 7.2ns |
| Email: | [email protected] |
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