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GT10G131(TE12L,Q)
- Artikelnummer:
- GT10G131(TE12L,Q)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- IGBT 400V 1W 8-SOIC
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 35503 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- GT10G131(TE12L,Q).pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 400V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.3V @ 4V, 200A |
| Testbedingung: | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 3.1µs/2µs |
| Schaltenergie: | - |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 1W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | - |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT 400V 1W Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 200A |
| Basisteilenummer: | GT10 |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für GT10G131(TE12L,Q)
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