FF23MR12W1M1B11BOMA1
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Artikelnummer:
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
Lead Free Status:
Enthält Blei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
23733 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
1.FF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf2.FF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5.55V @ 20mA
Supplier Device-Gehäuse:Module
Serie:CoolSiC™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:23 mOhm @ 50A, 15V
Leistung - max:20mW
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:Module
Andere Namen:SP001602224
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):Not Applicable
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3950pF @ 800V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:125nC @ 15V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss):1200V (1.2kV)
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount Module
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:50A
Email:[email protected]

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