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FDG6322C
- Artikelnummer:
- FDG6322C
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 41247 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- FDG6322C.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | SC-70-6 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4 Ohm @ 220mA, 4.5V |
| Leistung - max: | 300mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Andere Namen: | FDG6322CTR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 42 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 9.5pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.4nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 25V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 25V 220mA, 410mA 300mW Surface Mount SC-70-6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 220mA, 410mA |
| Email: | [email protected] |
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