FDG410NZ
Artikelnummer:
FDG410NZ
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
49042 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
FDG410NZ.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:SC-70-6
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Verlustleistung (max):420mW (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen:FDG410NZ-ND
FDG410NZTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:535pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:7.2nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 20V 2.2A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2.2A (Ta)
Email:[email protected]

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