DTC143XEBHZGTL
DTC143XEBHZGTL
Artikelnummer:
DTC143XEBHZGTL
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
38304 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
1.DTC143XEBHZGTL.pdf2.DTC143XEBHZGTL.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased + Diode
Supplier Device-Gehäuse:EMT3F (SOT-416FL)
Serie:Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2):10 kOhms
Widerstand - Basis (R1):4.7 kOhms
Leistung - max:150mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SC-89, SOT-490
Andere Namen:DTC143XEBHZGTLTR
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:250MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:30 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):-
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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