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DTC115GUAT106
- Artikelnummer:
- DTC115GUAT106
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 42177 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.DTC115GUAT106.pdf2.DTC115GUAT106.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ: | NPN - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse: | UMT3 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 100 kOhms |
| Leistung - max: | 200mW |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-70, SOT-323 |
| Andere Namen: | DTC115GUAT106DKR |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 250MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 82 @ 5mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Basisteilenummer: | DTC115 |
| Email: | [email protected] |
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