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DTB123ESTP
- Artikelnummer:
- DTB123ESTP
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 27103 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- DTB123ESTP.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor-Typ: | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse: | SPT |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 2.2 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 2.2 kOhms |
| Leistung - max: | 300mW |
| Verpackung: | Tape & Box (TB) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-72 Formed Leads |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 200MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 39 @ 50mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 500mA |
| Basisteilenummer: | DTB123 |
| Email: | [email protected] |
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