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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > DRA2152Z0L
DRA2152Z0L
Artikelnummer:
DRA2152Z0L
Hersteller:
Panasonic
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
28270 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
DRA2152Z0L.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ:PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:Mini3-G3-B
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):5.1 kOhms
Widerstand - Basis (R1):510 Ohms
Leistung - max:200mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen:DRA2152Z0L-ND
DRA2152Z0LTR
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:11 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:20 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Basisteilenummer:DRA2152
Email:[email protected]

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