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DMN26D0UFB4-7
- Artikelnummer:
- DMN26D0UFB4-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 38806 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- DMN26D0UFB4-7.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | X2-DFN1006-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 350mW (Ta) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | 3-XFDFN |
| Andere Namen: | DMN26D0UFB4-7DICT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 14 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 14.1pF @ 15V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 20V 230mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 230mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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