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DMG3N60SJ3
- Artikelnummer:
- DMG3N60SJ3
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Beschreibung:
- MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
- Lead Free Status:
- Enthält Blei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 27839 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- DMG3N60SJ3.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-251 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 41W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-251-3, IPak, Short Leads |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 22 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 354pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12.6nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 650V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 650V 2.8A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 2.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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