CY62147GN18-55BVXIT
CY62147GN18-55BVXIT
Artikelnummer:
CY62147GN18-55BVXIT
Hersteller:
Cypress Semiconductor
Beschreibung:
IC SRAM 4M PARALLEL
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
34359 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
CY62147GN18-55BVXIT.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:55ns
Spannungsversorgung:1.65 V ~ 2.2 V
Technologie:SRAM - Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse:48-VFBGA (6x8)
Serie:MoBL®
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:48-VFBGA
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:4Mb (256K x 16)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit:11 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 55ns 48-VFBGA (6x8)
Zugriffszeit:55ns
Email:[email protected]

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