CSD88599Q5DCT
Artikelnummer:
CSD88599Q5DCT
Hersteller:
TI
Beschreibung:
MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP
Lead Free Status:
Enthält Blei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
21476 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
CSD88599Q5DCT.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:22-VSON-CLIP (5x6)
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.1 mOhm @ 30A, 10V
Leistung - max:12W
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:22-PowerTFDFN
Andere Namen:296-46924-6
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit:35 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:4840pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 4.5V
Typ FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal:Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 12W Surface Mount 22-VSON-CLIP (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:-
Email:[email protected]

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