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CSD18511KTTT
- Artikelnummer:
- CSD18511KTTT
- Hersteller:
- TI
- Beschreibung:
- 40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS
- Lead Free Status:
- Enthält Blei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 22136 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- CSD18511KTTT.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | DDPAK/TO-263-3 |
| Serie: | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.6 mOhm @ 100A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 188W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | 296-47449-2 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 2 (1 Year) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 35 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 5940pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 64nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 40V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 40V 110A (Ta), 194A (Tc) 188W (Ta) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 110A (Ta), 194A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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