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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > CP127-2N6301-CT
CP127-2N6301-CT
Artikelnummer:
CP127-2N6301-CT
Hersteller:
Central Semiconductor
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 80V 8A CHIP 1=200
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
36210 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
CP127-2N6301-CT.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):80V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:3V @ 80mA, 8A
Transistor-Typ:NPN - Darlington
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:CP127-2N6301-CT PBFREE
CP1272N6301CT
Betriebstemperatur:-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:4MHz
detaillierte Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 8A 4MHz Surface Mount Die
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:750 @ 4A, 3V
Strom - Collector Cutoff (Max):500µA
Strom - Kollektor (Ic) (max):8A
Email:[email protected]

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