BU323ZG
BU323ZG
Artikelnummer:
BU323ZG
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 350V 10A TO247
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
41128 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
BU323ZG.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):350V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:1.7V @ 250mA, 10A
Transistor-Typ:NPN - Darlington
Supplier Device-Gehäuse:TO-247
Serie:-
Leistung - max:150W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Andere Namen:BU323ZG-ND
BU323ZGOS
Betriebstemperatur:-65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:9 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:2MHz
detaillierte Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 10A 2MHz 150W Through Hole TO-247
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:500 @ 5A, 4.6V
Strom - Collector Cutoff (Max):100µA
Strom - Kollektor (Ic) (max):10A
Email:[email protected]

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