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BS108ZL1G
- Artikelnummer:
- BS108ZL1G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 37392 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- BS108ZL1G.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8 Ohm @ 100mA, 2.8V |
| Verlustleistung (max): | 350mW (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Box (TB) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Andere Namen: | BS108ZL1GOS BS108ZL1GOS-ND BS108ZL1GOSTB |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 25V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 2V, 2.8V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 200V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 250mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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