BLF9G20LS-160VU ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für BLF9G20LS-160VU, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BLF9G20LS-160VU per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie BLF9G20LS-160VU mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
BLF9G20LS-160VU
- Artikelnummer:
- BLF9G20LS-160VU
- Hersteller:
- Ampleon
- Beschreibung:
- RF FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 20109 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- BLF9G20LS-160VU.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Prüfung: | 28V |
| Spannung - Nennwert: | 65V |
| Transistor-Typ: | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse: | LDMOST |
| Serie: | - |
| Leistung: | 35.5W |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-1120B |
| Andere Namen: | 568-12838 934069103112 BLF9G20LS-160VU-ND |
| Rauschmaß: | - |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 13 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gewinnen: | 19.8dB |
| Frequenz: | 1.81GHz ~ 1.88GHz |
| detaillierte Beschreibung: | RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 1.81GHz ~ 1.88GHz 19.8dB 35.5W LDMOST |
| Aktuelle Bewertung: | - |
| Strom - Test: | 800mA |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für BLF9G20LS-160VU
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF988S,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B | Anfrage |
 |
BLF9G20LS-160VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B | Anfrage |
 |
BLF8G38LS-75VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT1239B | Anfrage |
 |
BLF9G38-10GU | Ampleon | RF MOSFET LDMOS SOT975C | Anfrage |
 |
BLF9G24LS-150VJ | Ampleon | TRANS RF 150W ACC-6 | Anfrage |
 |
BLF8G27LS-150GVQ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C | Anfrage |
 |
BLF9G38LS-90PU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT1121B | Anfrage |
 |
BLF8G27LS-150VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B | Anfrage |
 |
BLF8G27LS-140V | Ampleon | RF FET | Anfrage |
|
BLF8G27LS-150GVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C | Anfrage |
 |
BLF9G24LS-230VU | Ampleon | TRANS RF 230W ACC-6 | Anfrage |
|
BLF9G38-10GJ | Ampleon | RF MOSFET LDMOS SOT975C | Anfrage |
 |
BLF9G24LS-150VU | Ampleon | TRANS RF 150W ACC-6 | Anfrage |
 |
BLF988,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A | Anfrage |
|
BLF9G38LS-90PJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT1121B | Anfrage |
|
BLF8G38LS-75VU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT1239B | Anfrage |
|
BLF8G27LS-140V,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B | Anfrage |
 |
BLF9G24LS-230VJ | Ampleon | TRANS RF 230W ACC-6 | Anfrage |
|
BLF8G27LS-140V,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B | Anfrage |
 |
BLF8G27LS-150VU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B | Anfrage |
läst Nachrichten
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last
- Vishay startet eine minilierte Verpackung hoher Helligkeit kleiner blau und rein grün
- Ansonmei startete einen induktiven Positionssensor für den Industrie- und Transportmarkt
- Ruisa beginnt die alte Fabrik, um das Stromgerät zu erhöhen. Das Erdbeben beeinflusst die Dram -Output mild
- Mikrochip ermöglicht die Produktionskapazität von TSMC und erhöht die Preiserhöhungen
- Ruisa hat die neue Ra0 -Serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU gestartet
- MELEXIS startet einen integrierten Induktorschalter -Chip
- X-FAB führt die Back-Illumination-Technologie für Bildsensor ein, um die CMOS-Sensorleistung zu verbessern