AS4C32M16MSA-6BINTR
AS4C32M16MSA-6BINTR
Artikelnummer:
AS4C32M16MSA-6BINTR
Hersteller:
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
32463 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
AS4C32M16MSA-6BINTR.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.95 V
Technologie:SDRAM - Mobile SDRAM
Supplier Device-Gehäuse:54-FBGA (8x8)
Serie:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:54-VFBGA
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit:8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SDRAM - Mobile SDRAM Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 166MHz 5.5ns 54-FBGA (8x8)
Uhrfrequenz:166MHz
Zugriffszeit:5.5ns
Email:[email protected]

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