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APTM100A12STG
Artikelnummer:
APTM100A12STG
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
56231 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
APTM100A12STG.pdf
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Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 10mA
Supplier Device-Gehäuse:SP3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:120 mOhm @ 34A, 10V
Leistung - max:1250W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:SP3
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:17400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:616nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal:Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss):1000V (1kV)
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 68A 1250W Chassis Mount SP3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:68A
Email:[email protected]

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