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APT41M80B2
APT41M80B2
Artikelnummer:
APT41M80B2
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
55711 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
1.APT41M80B2.pdf2.APT41M80B2.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:T-MAX™ [B2]
Serie:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:210 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max):1040W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3 Variant
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:17 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:8070pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:260nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):800V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 800V 43A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:43A (Tc)
Email:[email protected]

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