APT25SM120B
Artikelnummer:
APT25SM120B
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
POWER MOSFET - SIC
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
37474 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
APT25SM120B.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):+25V, -10V
Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:175 mOhm @ 10A, 20V
Verlustleistung (max):175W (Tc)
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:72nC @ 20V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):20V
Drain-Source-Spannung (Vdss):1200V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 1200V 25A (Tc) 175W (Tc) Through Hole TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

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