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APT18M100B
APT18M100B
Artikelnummer:
APT18M100B
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
24229 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
1.APT18M100B.pdf2.APT18M100B.pdf
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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247 [B]
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:700 mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (max):625W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Andere Namen:APT18M100BMI
APT18M100BMI-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:17 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:4845pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:150nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):1000V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 1000V 18A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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