8ETH06S ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für 8ETH06S, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für 8ETH06S per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie 8ETH06S mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
8ETH06S
- Artikelnummer:
- 8ETH06S
- Hersteller:
- Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
- Lead Free Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- Bestandsmenge:
- 58588 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 8ETH06S.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Spitzensperr- (max): | Standard |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 8A |
| Spannung - Durchschlag: | D2PAK |
| Serie: | FRED Pt® |
| RoHS Status: | Tube |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Widerstand @ If, F: | - |
| Polarisation: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | *8ETH06S VS-8ETH06S VS-8ETH06S-ND VS8ETH06S VS8ETH06S-ND |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | 25ns |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | 8ETH06S |
| Expanded Beschreibung: | Diode Standard 600V 8A Surface Mount D2PAK |
| Diodenkonfiguration: | 50µA @ 600V |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 2.4V @ 8A |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode): | 600V |
| Kapazität @ Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für 8ETH06S
läst Nachrichten
- Der Plan von Micron, eine Fabrik, einen NAND -Flash -Speicher zu hohen Preisen oder Wartung zu erstellen
- Die ADI -Leistung wird reduziert, Kupferfoliensubstrate sind gestiegen, die Lagerung der ursprünglichen Fabrik erhöhen Produktion konservativ
- Die Welle der Intelligenz im Auto kommt und Aimus Oslang half Sagita Juguang, den MX Lidar zu veröffentlichen
- Die HBM -Produktionskapazität ist ausgeschlossen, der DRAM -Speicher kann in der zweiten Jahreshälfte knapp sein
- Die Gründer der Wand werden enden, HBM oder Dram wieder aufsteigen
- AI -Mobiltelefon- und PC -Expansionsnachfrage, globale Verbesserung der Halbleiterherstellung der Fertigungsindustrie
- Verstehen Sie die Anforderungen von ADAs und Kabinenüberwachungssystemen für Netzwerksicherheitssensoren
- Es wird gemunkelt, dass Samsung und SK Hynix DDR3 gestoppt haben und das Beförderungszitat um 20 % stieg
- Melexis veröffentlicht MLX90427: Linienkontrolle für neue Auswahl, sicher, effizient und wirtschaftlich
- Der Finanzbericht von NXP und Ansonmei wird angekündigt, und der Preis für Kupferpreise wird an die IC -Industrie übertragen
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte