71V67703S85BGG ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für 71V67703S85BGG, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für 71V67703S85BGG per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie 71V67703S85BGG mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
71V67703S85BGG
- Artikelnummer:
- 71V67703S85BGG
- Hersteller:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Beschreibung:
- IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 28084 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.71V67703S85BGG.pdf2.71V67703S85BGG.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
| Spannungsversorgung: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Technologie: | SRAM - Synchronous |
| Supplier Device-Gehäuse: | 119-PBGA (14x22) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | 119-BGA |
| Andere Namen: | IDT71V67703S85BGG IDT71V67703S85BGG-ND |
| Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 9Mb (256K x 36) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | SRAM |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SRAM - Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 87MHz 8.5ns 119-PBGA (14x22) |
| Uhrfrequenz: | 87MHz |
| Basisteilenummer: | IDT71V67703 |
| Zugriffszeit: | 8.5ns |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für 71V67703S85BGG
läst Nachrichten
- Qorvo hat die herausragenden 5G -MMIMO -Vorläufe der Branche auf den Markt gebracht
- Simulationszyklus -Inventarbooting Out, KI fährt den Flash -Speicherbedarf fort
- Der Plan von Micron, eine Fabrik, einen NAND -Flash -Speicher zu hohen Preisen oder Wartung zu erstellen
- Die ADI -Leistung wird reduziert, Kupferfoliensubstrate sind gestiegen, die Lagerung der ursprünglichen Fabrik erhöhen Produktion konservativ
- Die Welle der Intelligenz im Auto kommt und Aimus Oslang half Sagita Juguang, den MX Lidar zu veröffentlichen
- Die HBM -Produktionskapazität ist ausgeschlossen, der DRAM -Speicher kann in der zweiten Jahreshälfte knapp sein
- Die Gründer der Wand werden enden, HBM oder Dram wieder aufsteigen
- AI -Mobiltelefon- und PC -Expansionsnachfrage, globale Verbesserung der Halbleiterherstellung der Fertigungsindustrie
- Verstehen Sie die Anforderungen von ADAs und Kabinenüberwachungssystemen für Netzwerksicherheitssensoren
- Es wird gemunkelt, dass Samsung und SK Hynix DDR3 gestoppt haben und das Beförderungszitat um 20 % stieg
- Melexis veröffentlicht MLX90427: Linienkontrolle für neue Auswahl, sicher, effizient und wirtschaftlich
- Der Finanzbericht von NXP und Ansonmei wird angekündigt, und der Preis für Kupferpreise wird an die IC -Industrie übertragen