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70V658S10DR
- Artikelnummer:
- 70V658S10DR
- Hersteller:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Beschreibung:
- IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
- Lead Free Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- Bestandsmenge:
- 37767 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.70V658S10DR.pdf2.70V658S10DR.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 10ns |
| Spannungsversorgung: | 3.15 V ~ 3.45 V |
| Technologie: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Supplier Device-Gehäuse: | 208-PQFP (28x28) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | 208-BFQFP |
| Andere Namen: | IDT70V658S10DR IDT70V658S10DR-ND |
| Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 2Mb (64K x 36) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | SRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 10ns 208-PQFP (28x28) |
| Basisteilenummer: | IDT70V658 |
| Zugriffszeit: | 10ns |
| Email: | [email protected] |
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