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2SJ649-AZ
- Artikelnummer:
- 2SJ649-AZ
- Hersteller:
- Renesas Electronics America
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 60V 20A TO-220
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 26654 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 2SJ649-AZ.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220 Isolated Tab |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 48 mOhm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2W (Ta), 25W (Tc) |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 Isolated Tab |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1900pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 60V 20A (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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