2SA965-Y,T6KOJPF(J
2SA965-Y,T6KOJPF(J
Artikelnummer:
2SA965-Y,T6KOJPF(J
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
53791 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
2SA965-Y,T6KOJPF(J.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):120V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:1V @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ:PNP
Supplier Device-Gehäuse:LSTM
Serie:-
Leistung - max:900mW
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Andere Namen:2SA965-YT6KOJPF(J
2SA965YT6KOJPFJ
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:120MHz
detaillierte Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 100mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max):800mA
Email:[email protected]

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