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1N8030-GA
1N8030-GA
Artikelnummer:
1N8030-GA
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
Lead Free Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bestandsmenge:
59361 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
1N8030-GA.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:1.39V @ 750mA
Spannung - Sperr (Vr) (max):650V
Supplier Device-Gehäuse:TO-257
Geschwindigkeit:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):0ns
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-257-3
Andere Namen:1242-1117
1N8030GA
Betriebstemperatur - Anschluss:-55°C ~ 250°C
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp:Silicon Carbide Schottky
detaillierte Beschreibung:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 750mA Through Hole TO-257
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:5µA @ 650V
Strom - Richt (Io):750mA
Kapazität @ Vr, F:76pF @ 1V, 1MHz
Basisteilenummer:1N8030
Email:[email protected]

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