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1N5802US
1N5802US
Artikelnummer:
1N5802US
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 50V 1A D5A
Lead Free Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bestandsmenge:
23996 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
1N5802US.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:875mV @ 1A
Spannung - Sperr (Vr) (max):50V
Supplier Device-Gehäuse:D-5A
Geschwindigkeit:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):25ns
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:SQ-MELF, A
Betriebstemperatur - Anschluss:-65°C ~ 175°C
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp:Standard
detaillierte Beschreibung:Diode Standard 50V 1A Surface Mount D-5A
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:1µA @ 50V
Strom - Richt (Io):1A
Kapazität @ Vr, F:25pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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