ZXMD63N02XTA je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro ZXMD63N02XTA, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro ZXMD63N02XTA e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si ZXMD63N02XTA s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
ZXMD63N02XTA
- Part Number:
- ZXMD63N02XTA
- Výrobce:
- Diodes Incorporated
- Popis:
- MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 42485 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- ZXMD63N02XTA.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3V @ 250µA |
| Dodavatel zařízení Package: | 8-MSOP |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| Power - Max: | 1.04W |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Ostatní jména: | ZXMD63N02X ZXMD63N02XCT |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 700pF @ 15V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature: | Logic Level Gate |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 20V |
| Detailní popis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.5A 1.04W Surface Mount 8-MSOP |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 2.5A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro ZXMD63N02XTA
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické