Y16333K90000T9R je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro Y16333K90000T9R, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro Y16333K90000T9R e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si Y16333K90000T9R s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
Y16333K90000T9R
- Part Number:
- Y16333K90000T9R
- Výrobce:
- Popis:
- RES SMD 3.9K OHM 0.01% 0.6W 2512
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 31587 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- Y16333K90000T9R.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napìtí - AC: | - |
| Napětí - Pracovní: | 0.6W |
| Napětí - Rozdělení: | 2512 |
| Tloušťka (Max): | ±0.2ppm/°C |
| Velikost / Rozměry: | 0.250" L x 0.126" W (6.35mm x 3.20mm) |
| Série: | VFCP |
| Stav RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polarizace: | 2512 (6432 Metric) |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | Y16333K90000T9R |
| Výška - Sedící (Max): | 0.025" (0.64mm) |
| Funkce: | Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive |
| FIFO je: | 2 |
| Rozšířený popis: | 3.9k Ohm ±0.01% 0.6W Chip Resistor 2512 (6432 Metric) Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive Metal Foil |
| ESR (Equivalent Resistance Series): | ±0.01% |
| Popis: | RES SMD 3.9K OHM 0.01% 0.6W 2512 |
| Coating, typ bydlení: | Metal Foil |
| Bandwidth: | 3.9k |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro Y16333K90000T9R
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC