VUO85-12NO7 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro VUO85-12NO7, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro VUO85-12NO7 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si VUO85-12NO7 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
VUO85-12NO7
- Part Number:
- VUO85-12NO7
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- RECT BRIDGE 3PH 85A 1200V FO-T-A
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 59630 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- VUO85-12NO7.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | 1.2kV |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.6V @ 150A |
| Technika: | Standard |
| Dodavatel zařízení Package: | FO-T-A |
| Série: | - |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | FO-T-A |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Three Phase |
| Detailní popis: | Bridge Rectifier Three Phase Standard 1.2kV Chassis Mount FO-T-A |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 500µA @ 1200V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 85A |
| Číslo základní části: | VUO85 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro VUO85-12NO7
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
VUO82-18NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 88A 1800V PWS-D | Dotaz |
 |
VUO80-18NO1 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 82A 1800V V1-A | Dotaz |
 |
VUO85-08NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 85A 800V FO-T-A | Dotaz |
|
VUO98-08NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 800V ECO-PAC2 | Dotaz |
|
VUO86-12NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 1200V ECO-PAC1 | Dotaz |
|
VUO86-08NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 800V ECO-PAC1 | Dotaz |
|
VUO85-14NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 85A 1400V FO-T-A | Dotaz |
|
VUO86-14NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 1400V ECO-PAC1 | Dotaz |
|
VUO98-12NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 1200V ECO-PAC2 | Dotaz |
|
VUO82-14NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 88A 1400V PWS-D | Dotaz |
|
VUO86-16NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 1600V ECO-PAC1 | Dotaz |
|
VUO82-08NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 88A 800V PWS-D | Dotaz |
|
VUO80-16NO1 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 82A 1600V V1-A | Dotaz |
|
VUO82-16NO7 | IXYS Corporation | 3-PHASE RECTIFIER BRIDGE | Dotaz |
|
VUO85-16NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 85A 1200V FO-T-A | Dotaz |
|
VUO98-16NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 1600V ECO-PAC2 | Dotaz |
|
VUO98-14NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 1400V ECO-PAC2 | Dotaz |
|
VUO80-14NO1 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 82A 1400V V1-A | Dotaz |
|
VUO84-16NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 1600V 90A | Dotaz |
|
VUO82-12NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 88A 1200V PWS-D | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen