VS-GB150TS60NPBF je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro VS-GB150TS60NPBF, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro VS-GB150TS60NPBF e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si VS-GB150TS60NPBF s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
VS-GB150TS60NPBF
- Part Number:
- VS-GB150TS60NPBF
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- IGBT 600V 138A 500W INT-A-PAK
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 43939 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- VS-GB150TS60NPBF.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 600V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 3V @ 15V, 150A |
| Dodavatel zařízení Package: | INT-A-PAK |
| Série: | - |
| Power - Max: | 500W |
| Paket / krabice: | INT-A-PAK (3 + 4) |
| Ostatní jména: | VSGB150TS60NPBF |
| Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
| NTC termistor: | No |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstup: | Standard |
| Typ IGBT: | NPT |
| Detailní popis: | IGBT Module NPT Half Bridge 600V 138A 500W Chassis Mount INT-A-PAK |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 200µA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 138A |
| Konfigurace: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro VS-GB150TS60NPBF
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC