VS-EPU3006LHN3 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro VS-EPU3006LHN3, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro VS-EPU3006LHN3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si VS-EPU3006LHN3 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
VS-EPU3006LHN3
- Part Number:
- VS-EPU3006LHN3
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
- Množství zásob:
- 33206 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- VS-EPU3006LHN3.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 2V @ 30A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 600V |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-247AD |
| Rychlost: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 45ns |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-2 |
| Ostatní jména: | VS-EPU3006LHN3GI VS-EPU3006LHN3GITR VS-EPU3006LHN3GITR-ND |
| Provozní teplota - spojení: | -55°C ~ 175°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Výrobní standardní doba výroby: | 45 Weeks |
| Diode Type: | Standard |
| Detailní popis: | Diode Standard 600V 30A Through Hole TO-247AD |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 30µA @ 600V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 30A |
| Kapacitní @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro VS-EPU3006LHN3
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické