VS-150EBU04 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro VS-150EBU04, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro VS-150EBU04 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si VS-150EBU04 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
VS-150EBU04
- Part Number:
- VS-150EBU04
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- DIODE GP 400V 150A POWIRTAB
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 25648 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- VS-150EBU04.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.3V @ 150A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 400V |
| Dodavatel zařízení Package: | PowIRtab™ |
| Rychlost: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 93ns |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | PowerTab™, PowIRtab™ |
| Ostatní jména: | *150EBU04 150EBU04 VS-150EBU04-ND VS150EBU04 VS150EBU04-ND |
| Provozní teplota - spojení: | -55°C ~ 175°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 45 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Standard |
| Detailní popis: | Diode Standard 400V 150A Through Hole PowIRtab™ |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 50µA @ 400V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 150A |
| Kapacitní @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro VS-150EBU04
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC