VS-12TTS08PBF je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro VS-12TTS08PBF, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro VS-12TTS08PBF e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si VS-12TTS08PBF s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
VS-12TTS08PBF
- Part Number:
- VS-12TTS08PBF
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- SCR PHSE CTRL 800V 12.5A TO220AC
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 48493 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.VS-12TTS08PBF.pdf2.VS-12TTS08PBF.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Na státu (VTM) (Max): | 1.2V |
| Napětí - Off State: | 800V |
| Napětí - Gate Trigger (Vgt) (Max): | 1V |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-220AB |
| Série: | - |
| Typ SCR: | Standard Recovery |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-220-3 |
| Ostatní jména: | 12TTS08PBF 12TTS08PBF-ND |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 125°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | SCR 800V 12.5A Standard Recovery Through Hole TO-220AB |
| Proud - Na státu (It (RMS)) (Max): | 12.5A |
| Proud - Na státu (It (AV)) (Max): | 8A |
| Aktuální - Off státu (Max): | 50µA |
| Proud -. Non Rep Surge 50, 60 Hz (ITSM): | 140A @ 50Hz |
| Proud - přidržení (H) (Max): | 30mA |
| Proud - Gate Trigger (Igt) (Max): | 15mA |
| Číslo základní části: | 12TTS* |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro VS-12TTS08PBF
Latest News
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory