VLS252010ET-R68N je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro VLS252010ET-R68N, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro VLS252010ET-R68N e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si VLS252010ET-R68N s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
VLS252010ET-R68N
- Part Number:
- VLS252010ET-R68N
- Výrobce:
- TDK Corporation
- Popis:
- FIXED IND 680NH 2.05A 62 MOHM
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 32488 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- VLS252010ET-R68N.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Typ: | Wirewound |
| Tolerance: | ±30% |
| Dodavatel zařízení Package: | 1008 (2520 Metric) |
| Velikost / Rozměry: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| stínění: | Shielded |
| Série: | VLS |
| hodnocení: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 1008 (2520 Metric) |
| Ostatní jména: | 445-6634-2 VLS252010ETR68N |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 105°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiál - jádro: | Ferrite |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence indukčnosti - test: | 1MHz |
| indukčnost: | 680nH |
| Výška - Sedící (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Frekvence - Self Resonant: | - |
| Detailní popis: | 680nH Shielded Wirewound Inductor 2.05A 62 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 62 mOhm Max |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 2.05A |
| Proud - Saturace: | 2.05A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro VLS252010ET-R68N
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické